Согласно отчету тайваньского отраслевого обозревателя DigiTimes, передовой 2-нм литейный узел EUV от TSMC, как ожидается, выйдет на рынок рискованного продукта в четвертом квартале 2024 года. 2 нм станет важной вехой для литейной компании, поскольку она станет первой компанией, которая внедрит полевые транзисторы GAA (затворы со всех сторон), технологический преемник FinFET, которые в течение почти десятилетия способствовали разработке узлов производства кремния, начиная с 16 нм до 3 нм. Технология GAAFET будет иметь решающее значение для перехода литейного производства от 2 нм к 1 нм.

Ожидается, что TSMC будет производить чипы на своем 2-нм узле на своем новом заводе в кампусе Баошань в научном парке Синьчжу, расположенном на севере Тайваня. Если с рискованным производством все пойдет хорошо, можно ожидать массового производства чипов ко второму кварталу 2025 года. До тех пор усовершенствования последнего узла FinFET компании, семейства N3, останутся передовыми разработками в производстве кремния. У Samsung есть аналогичная цель к 2025 году для массового производства на своем 2-нм узле, получившем название SF2. По всему Тихоокеанскому региону компания Intel Foundry Services имеет свой узел Intel 20A, который реализует технологию GAAFET (также известную как RibbonFET), нацеленную на аналогичные сроки, включая амбициозную цель массового производства к 2024 году.