Время чтения 3 минуты

SK hynix подчеркнула, что не только объем HBM на 2024 год, но и почти весь объем HBM на 2025 год был распродан, поскольку спрос на ИИ достигает заоблачных высот.

SK hynix распродала почти весь объем HBM 2025 года, 12-Hi HBM3E будут протестированы и готовы к производству в третьем квартале 2024 года

Во время своей недавней пресс-конференции SK hynix объявила о планах инвестировать в новый завод M15X в Чхонджу и полупроводниковом кластере Йонгинь в Корее, а также в современные упаковочные мощности в США (Индиана).

SK hynix сообщила, что растущий спрос на искусственный интеллект исчерпал все свои мощности HBM на 2024 год, и даже объем на 2025 год почти полностью распродан, что просто показывает, насколько велика потребность в быстрой памяти HBM для центров обработки данных текущего и следующего поколения. NVIDIA, являющаяся одним из ключевых партнеров SK hynix, использует свои решения памяти HBM3 и HBM3e для своего Hopper H200 и линейки графических процессоров Blackwell AI. Компания планирует вскоре начать выпуск образцов 12-Hi HBM3E DRAM, а производство начнется в следующем квартале (третий квартал 2024 года) .

• Компания прогнозирует быстрое распространение технологии искусственного интеллекта на более широкий спектр приложений на устройствах, таких как смартфоны, ПК и автомобили из центров обработки данных.
• Ожидается, что спрос на сверхбыструю память с высокой емкостью и низким энергопотреблением для приложений искусственного интеллекта будет стремительно расти.
• Компания обладает лучшими в отрасли технологиями для различных продуктов, включая HBM, DRAM высокой емкости на базе TSV и высокопроизводительный eSSD.
• SK hynix готова предоставить клиентам лучшие в отрасли специализированные решения памяти благодаря стратегическому сотрудничеству с глобальными деловыми партнерами.
• Что касается производства, объем производства HBM 2024 года уже распродан, а объем производства 2025 года почти распродан.
• Что касается технологии HBM, компания планирует предоставить образцы 12-высотного HBM3E с лучшими в отрасли характеристиками в мае, что позволит начать массовое производство в третьем квартале.
• Компания нацелена на качественный рост за счет повышения ценовой конкурентоспособности, повышения рентабельности при увеличении продаж продукции с добавленной стоимостью.
• План состоит в том, чтобы продолжать улучшать финансовую устойчивость путем повышения уровня денежных средств за счет гибкого инвестиционного реагирования путем изменения обстоятельств спроса.
• Компания стремится внести свой вклад во внутреннюю экономику, помогая продвинуть позиции Кореи как мощного производителя памяти искусственного интеллекта, превратившись в надежного клиента, стабильную компанию, не подверженную влиянию деловых обстоятельств в эпоху искусственного интеллекта.

Помимо HBM3E, SK hynix также занимается массовым производством модулей DRAM емкостью более 256 ГБ и уже выпустила на рынок самое быстрое в мире решение LPDDR5T для мобильных устройств. Заглядывая в будущее, SK hynix планирует представить несколько решений памяти следующего поколения, таких как HBM4, HBM4E, LPDDR6 , твердотельные накопители емкостью 300 ТБ, решения памяти CXL-Pooled и модули PIM (обработка в памяти).

• В области DRAM компания массово производит HBM3E и модули со сверхвысокой емкостью более 256 ГБ, одновременно выпустив на рынок самый быстрый в мире LPDDR5T.
• Компания является ведущим поставщиком памяти для искусственного интеллекта, а также в сфере NAND и является единственным поставщиком твердотельных накопителей на базе QLC емкостью более 60 ТБ.
• Продолжается разработка продуктов следующего поколения с улучшенными характеристиками.
• Компания планирует представить инновационную память, такую ​​как HBM4, HBM4E, LPDDR6, твердотельный накопитель емкостью 300 ТБ, решение для объединенной памяти CXL и обработку в памяти.
• Запатентованная технология MR-MUF компании SK hynix является основной технологией упаковки HBM.
• Мнения о том, что MR-MUF столкнется с технологическими проблемами при более высоком уровне штабелирования, неверны, как видно из успешного массового производства SK hynix HBM3 с 12 высотами и  усовершенствованной технологией MR-MUF.
• MR-MUF снижает давление при укладке стружки до уровня 6 %, повышает производительность в 4 раза за счет сокращения времени, необходимого для процесса, и одновременно улучшает отвод тепла на 45 % по сравнению с предыдущей технологией
• Усовершенствованный MR-MUF, недавно представленный компанией SK hynix, улучшает рассеивание тепла на 10% за счет использования нового защитного материала, сохраняя при этом существующие преимущества MR-MUF.
• Усовершенствованный MR-MUF, в котором применяется метод высокой температуры и низкого давления, известный отличным контролем коробления, оптимальное решение для большого штабелирования и разработки технологии для реализации 16-уровневого штабелирования.
• Компания планирует использовать Advanced MR-MUF для реализации HBM4 с высотой 16, одновременно рассматривая технологию гибридного соединения.
• Кроме того, в прошлом месяце компания объявила о плане строительства передовых упаковочных предприятий для памяти искусственного интеллекта в Уэст-Лафайете, штат Индиана.
• Массовое производство продуктов искусственного интеллекта, таких как HBM следующего поколения на заводе в Индиане, начнется во второй половине 2028 года.

Для HBM SK hynix будет использовать свою технологию MR-MUF для упаковки DRAM. Усовершенствованная версия технологии будет использоваться для массового производства модулей памяти 12-Hi HBM3, увеличивая производительность в 4 раза и улучшая рассеивание тепла на 45% по сравнению с предыдущими технологиями.

Та же технология упаковки проложит путь для памяти 16-Hi HBM, и в настоящее время компания также рассматривает возможность использования технологии Hybrid Bonding для своих модулей 16-Hi HBM4. Ожидается, что массовое производство следующего поколения памяти HBM начнется на заводе в Индиане во второй половине 2028 года. Ожидается, что стандартные модули HBM4 начнут массовое производство к 2026 году, что станет следующей главой в области искусственного интеллекта.