Время чтения 2 минуты

400-слойная память V-NAND нового поколения от Samsung сможет хранить больше данных и обеспечит более высокую надежность для современных решений по хранению данных.

Samsung значительно увеличит количество ячеек памяти для следующего поколения и планирует в будущем увеличить их количество до 1000 слоев, а вскоре появится 400-слойная V-NAND с вертикальным соединением.

Месяц назад полупроводниковый гигант Samsung начал массовое производство QLC 9-го поколения V-NAND , которое направлено на повышение производительности, емкости и надежности решений для хранения данных следующего поколения. Недавний отчет Korean Economic Daily предполагает, что Samsung уже запланировал достичь еще более высокой производительности с помощью будущей технологии V-NAND.

Компания, как говорят, выпустит следующее поколение V-NAND в 2026 году. Это 10-е поколение V-NAND, которое, как сообщается, будет иметь конфигурацию из 400 слоев, что на 120 слоев больше, чем текущее 9-е поколение V-NAND. Это прямое увеличение количества слоев на 43% в одном поколении, что намного больше, чем разрыв между количеством слоев в 8-м и 9-м поколениях V-NAND (236 против 280 слоев).

Для достижения такого большого количества слоев Samsung будет внедрять  технологию Bonding Vertical(BV)  NAND, которая будет отличаться от текущей конструкции CoP (Circuit on Periphery)  . Конструкция CoP имеет периферийные схемы поверх стека памяти, в то время как метод вертикального связывания начнется с раздельного производства схем хранения и периферийных схем, за которым последует вертикальное связывание.

Это не только поможет Samsung достичь более высокой емкости, но и поможет снизить повреждение цепей в процессе укладки. Сообщается, что вертикальное связывание будет методом, аналогичным Xtacking от YMTC и CBA (CMOS Bonded Array) от Kioxia-Western Digitals. С помощью этого метода можно достичь почти на 60% более высокой плотности битов, что радикально увеличит емкость накопителей в том же пространстве.

Но Samsung не останавливается на достигнутом. Компания планирует достичь тысячи слоев V-NAND, но вряд ли это произойдет до 2027 года. Скорее всего, это будет достигнуто в 11-м поколении V-NAND, что означает солидное увеличение количества слоев в 2,5 раза, что увеличит скорость ввода-вывода до 50%.

В отделе D-RAM Samsung, как сообщается, собирается выпустить более быструю и лучшую DRAM в 2027 году. Она будет основана на технологии 0a нм (<10 нм) и будет использовать технологию VCT (транзистор с вертикальным каналом) для увеличения емкости памяти модулей D-RAM. С помощью VCT Samsung сможет проектировать 3D DRAM, размещая транзисторы вертикально, что в конечном итоге снизит помехи от соседних ячеек.

Разработка D-RAM начнется с DRAM на базе 1c нм в 2025 году, 1d нм DRAM в 2026 году и 0a нм D-RAM в 2027 году.