TSMC и Тайваньский научно-исследовательский институт промышленных технологий (ITRI) в четверг объявили , что они совместно разработали микросхему массива магнитной памяти с произвольным доступом (SOT-MRAM) со спин-орбитальным моментом, что является результатом...
Тандем TSMC создает экзотическую новую память с радикально меньшими задержками и энергопотреблением. Память на основе MRAM также может выполнять собственные вычислительные операции.
читать далее