Samsung готовится выпустить свою память V-NAND 9-го поколения (3D NAND flash) в следующем месяце, сообщает корейское издание Hankyung. Ожидается, что флэш-память 3D NAND 9-го поколения от Samsung будет иметь 290 слоев, что является шагом вперед по сравнению с 236-слойной памятью V-NAND 8-го поколения, которую компания дебютировала в 2022 году. Сообщается, что Samsung добилась плотности вертикального стека в 290 слоев за счет улучшений в его методы наложения слоев флэш-памяти, которые основаны на увеличении количества слоев за счет большего количества дыр в памяти во флэш-слое. Затратой здесь является плотность данных на пластину, но чистая выгода от увеличения количества слоев.
Тот же источник, который стоит за историей о V-NAND 9-го поколения, также сообщает, что компания планирует довольно рано в 2025 году выпустить своего преемника — V-NAND 10-го поколения. Ожидается, что это будет гигантская 430-слойная флэш-память 3D NAND, что на 140 слоев больше, чем у 9-го поколения (который сам по себе увеличился на 54 слоя по сравнению со своим предшественником). Это вернет Samsung на правильный путь вместе со своими конкурентами Kioxia, SK Hynix, Micron Technology и YMTC, поскольку они стремятся к амбициозной цели — созданию 1000-слойной флэш-памяти 3D NAND к 2030 году.