Разработка стандарта памяти нового поколения HBM4 идет полным ходом: TSMC, Samsung и SK hynix готовят новейшие DRAM и технологические узлы.
TSMC представляет 12-нм и 5-нм узлы для базовых кристаллов памяти HBM4, Samsung и SK hynix Go 1c DRAM Route
И Samsung, и SK hynix стремятся предложить стандарт памяти HBM4 следующего поколения. Корейские гиганты показали свои первоначальные планы на дебют в 2025-2026 годах. Samsung до сих пор рассматривает возможность использования технологий 3D-упаковки и стеков до 16-Hi для беспрецедентного увеличения объема видеопамяти и пропускной способности памяти, в то время как SK hynix также планирует внедрить новые технологии упаковки в свои собственные решения HBM4.
Согласно последним отраслевым источникам, цитируемым ZDNet Korea , утверждается, что Samsung и SK hynix планируют использовать 1c DRAM для питания памяти HBM4 следующего поколения. Сообщается, что Samsung изначально планировала использовать свою 1b DRAM (DRAM 5-го поколения класса 10-nano) для HBM4, производство которого началось в мае прошлого года, в то время как существующие продукты HBM3E основаны на 1a DRAM. Компания планирует вернуть утраченную динамику, поскольку недавно сообщалось, что Samsung не смогла пройти квалификационные тесты для новейших графических процессоров NVIDIA для искусственного интеллекта, таких как Hopper и Blackwell.
Основная причина использования 1c DRAM заключается в том, что Samsung видит, что она отстает от своих конкурентов, когда дело касается энергопотребления. Таким образом, 1c DRAM будет использоваться в продуктах HBM4 12-Hi и 16-Hi. Ожидается, что компания построит свою первую линию массового производства 1c DRAM к концу 2024 года, а общая производственная мощность составит около 3000 единиц в месяц. Окончательные показатели продукта HBM4 также не должны сильно отличаться. Некоторые источники даже подчеркивают, что Samsung может начать массовое производство раньше, к середине 2025 года, но это пока не подтверждено.
SK hynix планирует использовать 1b DRAM для продуктов памяти HBM4, а 1c DRAM будет использоваться производителем для памяти HBM4E следующего поколения.
Но это еще не все: во время Европейского технологического симпозиума TSMC 2024 производитель полупроводников сообщил, что из-за сложностей с переходом памяти HBM4 от 1024-битных к 2048-битным интерфейсам новые базовые кристаллы будут изготавливаться с использованием технологических узлов N12 и N5. .
Новые базовые кристаллы будут использоваться для изготовления продуктов памяти со стеками до 16 Hi с использованием технологий CoWoS, таких как пакеты CoWoS-L и CoWoS-R, которые были недавно представлены. Помимо других ключевых изменений, он также будет использовать новый процесс обеспечения целостности сигнала канала. Наличие 5-нм узла обеспечит преимущества в мощности, производительности и плотности, поэтому мы с нетерпением ждем выпуска продуктов памяти HBM4 следующего поколения в следующем году для ускорителей графических процессоров следующего поколения.