Планы Samsung Electronics по достижению цели по объему хранения в петабайтах еще некоторое время назад казались нереальными, но теперь компания рассматривает возможность использования новых «сегнетоэлектрических» материалов для достижения этой цели потенциально с помощью более чем 1000-слойной технологии NAND.

Цель создания петабайтного твердотельного накопителя не кажется далёкой, поскольку исследователи представляют новое решение, которое может помочь таким компаниям, как Samsung, реализовать 1000-слойную технологию NAND

Недавно мы говорили о планах Samsung на будущее рынков NAND , включая выпуск флэш-памяти V-NAND 9-го поколения, которая будет иметь колоссальные 290 слоев, наложенных друг на друга, устанавливая новый рыночный стандарт. Интересно, что корейский гигант также анонсировал продукт NAND с шокирующим 430-слойным стеком (V-NAND 10-го поколения), запуск которого ожидается в следующем году. Имея такое оборудование, Samsung Electronics планирует как можно скорее преодолеть отметку в 1000 ТБ, но есть и еще один интересный момент.

Ожидается, что на технологическом симпозиуме СБИС в Гонолулу исследователи из Корейского института передовых наук и технологий (KAIST) представят свои результаты по сегнетоэлектрикам Hafnia, которые представляют собой класс материалов, которые при определенных условиях проявляют сегнетоэлектричество. В последнее время они вызвали огромный интерес, особенно со стороны компьютерной индустрии, поскольку их сегнетоэлектрические свойства могут позволить разработать меньшие по размеру и более эффективные конденсаторы и устройства памяти.

Вот как резюмируется представляемая работа на основе первоначальных сведений о конференции:

Углубленный анализ сегнетоэлектриков Hafnia как ключевого фактора экспериментальной демонстрации и моделирования низковольтного и QLC 3D VNAND за пределами слоя 1K

В этой работе мы экспериментально демонстрируем заметное улучшение производительности, чему способствует взаимодействие эффектов захвата заряда и сегнетоэлектрического (FE) переключения в промежуточном слое затвора с металлической лентой (BE-G.IL) — промежуточном слое FE-канала (Ch.IL). -Si (МИФИС) FeFET. MIFIS с BE-G.IL (BE-MIFIS) обеспечивает максимальную  «положительную обратную связь»  (Posi. FB.) двойного эффекта, что приводит к низкому рабочему напряжению (V _PGM /V _ERS : +17/-15 В), широкое окно памяти (МВт: 10,5 В) и незначительные помехи при смещенном напряжении 9 В.

Кроме того, предложенная нами модель подтверждает, что повышение производительности BE-MIFIS FeFET связано с усилением положения. ФБ. Эта работа доказывает, что Hafnia FE может сыграть ключевую роль в расширении разработки технологии 3D VNAND, которая в настоящее время приближается к состоянию стагнации.

— Симпозиум по технологиям СБИС

Важно отметить, что Samsung не участвует напрямую в процессе исследований и разработок, но говорят, что вовлеченные лица напрямую связаны с корейским гигантом. Хотя неясно, приведет ли Hafnia Ferroelectrics к созданию петабайтных запоминающих устройств, они могут сыграть доминирующую роль, в конечном итоге приведя нас к важной вехе.