Неудивительно, что память DDR6 постепенно заменит нынешнюю память DDR5 в течение следующих нескольких лет, но что мы на самом деле знаем о будущем стандарте памяти? Мы вам расскажем.
Стандарт памяти DDR5, официально утвержденный в июле 2020 года с появлением AMD Ryzen 7000 («Raphael») и Intel Core 13000 («Alder Lake»), по-настоящему начал медленно вытеснять своего предшественника DDR4 в настольных компьютерах только в течение последних двух лет. но грядущая память DDR6 уже стучится в дверь.
Чего мы можем ожидать от нового стандарта памяти DDR6 — и какая достоверная информация у нас уже есть? Мы расскажем вам и предоставим вам глубокие знания об оперативной памяти следующего поколения в ПК, серверах и ноутбуках.
DDR6 должна достичь скорости до 12 800 МТ/с+
Samsung рассказала о DDR6 и ее эволюционной стадии DDR6+ на Tech Day 2021 и раскрыла много интересных подробностей о будущем стандарте памяти.
Если мы возьмем в качестве эталона скорости, официально одобренные JEDEC, максимальная скорость передачи данных увеличилась вдвое с 3400 МТ/с до 6400 МТ/с с введением DDR5 по сравнению с DDR4. Samsung прогнозирует аналогичное увеличение для DDR6, которая будет работать со скоростью до 12 800 МТ/с, как и DDR6-12800.
Следует отметить, что это только официальные стандартные скорости, указанные JEDEC, которые могут быть значительно превышены разогнанными (OC) модулями.
Таким образом, карты памяти со строго выбранными модулями памяти («ИС») должны обеспечивать производительность DDR6-16800 со скоростью до 16 800 МТ/с в качестве модулей OC.
В таком случае с точки зрения чистой скорости памяти развитие стандартов памяти DDR будет следующим:
| стандарт JEDEC | OC-модули | |
|---|---|---|
| ГДР | до 400 МТ/с | до 533 МТ/с |
| DDR2 | до 1066 МТ/с | до 1333 МТ/с |
| DDR3 | до 2133 МТ/с | до 2666 МТ/с |
| DDR4 | до 3200 МТ/с | до 5333 МТ/с |
| DDR5 | до 6400 МТ/с | до 8,4000 МТ/с |
| DDR6* | до 12800 МТ/с | до 16800 МТ/с |
*) официально не подтверждено.
Из-за значительно более высокой скорости памяти, связанной с переходом с DDR5 на DDR6, заметно увеличивается и пропускная способность памяти.
DDR6 имеет четыре канала памяти.
Количество каналов памяти на модуль увеличится до четырех с DDR6, что снова удвоится по сравнению с DDR5. Количество банков памяти также увеличивается в два раза до 64, что, в свою очередь, означает четырехкратное увеличение по сравнению с DDR4.
При сравнении пропускной способности памяти между поколениями DDR6 снова значительно увеличится:
- DDR до 3,2 ГБ/с
- DDR2 до 8,5 ГБ/с
- DDR3 до 17,0 ГБ/с
- DDR4 до 28,8 ГБ/с
- DDR5 до 67,2 ГБ/с
- DDR6 до 134,4 ГБ/с+
Таким образом, при нынешних обстоятельствах можно предположить, что самые быстрые модули памяти DDR6 смогут обеспечить пропускную способность памяти не менее 134,4 ГБ/с, а модули OC будут обеспечивать значительно большую пропускную способность памяти в секунду.
Больше функций, меньше напряжения
Как и при переходе с DDR4 на DDR5, набор функций памяти нового поколения вновь будет существенно расширен. Об этом уже заявили все соответствующие производители чипов DRAM, такие как Samsung, Micron, Nanya и SK Hynix.
В дополнение к дальнейшему усовершенствованию PMIC (ИС управления питанием), которая контролирует управление энергопотреблением модулей памяти, и дополнительному пониженному напряжению питания (VDIMM), функции ECC для проверки четности и исправления ошибок также должны быть расширены.
DDR6 будет выпущена в 2024/25 году
Samsung уже объявила, что в настоящее время работает над доработкой стандарта памяти DDR6 вместе с другими членами JEDEC из круга производителей DRAM и SoC. По словам производителя, это ожидается в течение 2024 года, но не позднее 2025 года.
Новая память DDR6 отметит свой дебют в профессиональном корпоративном сегменте и, как ожидается, впервые будет использоваться с серверными процессорами выпуска 2025 года.
С другой стороны, главный инженер южнокорейского производителя полупроводников SK Hynix ожидает несколько более длительного этапа разработки и не ожидает выхода на широкий рынок раньше конца 2025 года.
0 Комментариев