Samsung представила обновленную информацию о своем портфеле центров обработки данных в своих последних отчетах, подтвердив, что HBM3E, DDR5 и V-NAND следующего поколения появятся во втором квартале.

В этом году у Samsung появится несколько продуктов для центров обработки данных следующего поколения: 12-Hi HBM3E, 128 ГБ DDR5, V-NAND 9-го поколения и другие

Южнокорейский гигант сообщил, что он стал свидетелем рекордного роста в области искусственного интеллекта и будет продвигаться вперед, создавая несколько новых линеек продуктов в этом сегменте. Прежде всего, Samsung начала массовое производство своей памяти HBM3E «Shinebolt», которая сначала будет поставляться в стеках 8-Hi в этом месяце, а во втором квартале за ней последует вариант 12-Hi. Решение памяти следующего поколения будет предлагать емкость до 36 ГБ на стек для продуктов емкостью до 288 ГБ на 8-модульном чипе, таком как AMD MI300X.

Samsung Electronics начала массовое производство 8-слойных устройств HBM3E в апреле, чтобы удовлетворить спрос на генеративный искусственный интеллект, и планирует начать массовое производство 12-слойных продуктов во втором квартале.

Кроме того, мы планируем укрепить наше лидерство на рынке серверов за счет массового производства и поставок клиентам продуктов 1b nano 32Gb (гигабит) DDR5 емкостью 128 ГБ (гигабайт) во втором квартале.

NAND планирует своевременно отреагировать на спрос на искусственный интеллект, разработав твердотельный накопитель сверхвысокой емкости емкостью 64 ТБ и предоставив образцы во втором квартале, а также укрепить свое технологическое лидерство, впервые в отрасли начав массовое производство V9.

Сообщается, что AMD подписала соглашение с Samsung Foundry, которая будет поставлять HBM3E DRAM для использования в существующих продуктах и ​​продуктах следующего поколения, таких как обновленные графические процессоры MI350/MI370, которые, как утверждается, имеют увеличенный объем памяти.

Что касается DDR5 DRAM, то во втором квартале 2024 года Samsung выпустит в массовое производство свои модули памяти 1b(nm) емкостью 32 ГБ. Эти микросхемы памяти будут использоваться для разработки модулей емкостью до 128 ГБ . Samsung уже отправила клиентам первые образцы своих решений DDR5 следующего поколения.

Наконец, Samsung обновляет SSD V-NAND, в рамках которого будут представлены твердотельные накопители для центров обработки данных емкостью 64 ТБ. Эти твердотельные накопители будут представлены клиентам во втором квартале 2024 года, и компания также ожидает, что массовое производство V-NAND 9-го поколения начнется в третьем квартале. Твердотельные накопители V-NAND 9-го поколения будут основаны на конструкции QLC (Quad Level Cell). Согласно сообщениям, TLC V-NAND (9-го поколения) начнет производство в этом месяце и будет иметь на 33% более высокую скорость передачи данных — 3200 МТ/с. Эти твердотельные накопители будут использовать новейший стандарт PCIe Gen5.