Сообщается, что технология Gate-all-around будет применяться к 2-нм чипам Samsung, поскольку литейное подразделение Кореи планирует начать массовое производство этого узла где-то в 2025 году. Источники в отрасли заявили, что компания представит документ о GAA третьего поколения. характеристики, примененные в процессе 2 нм (SF2) на «Симпозиуме СБИС 2024», глобальной конференции по полупроводникам, которую планируется провести на Гавайях с 16 по 20 июня.

Samsung еще не удалось добиться успеха со своим 3-нм узлом GAA, во многом из-за низкой доходности, которая делает партнерство с другими компаниями нежизнеспособным.

Корейский гигант анонсировал свой 3-нм процесс GAA в 2022 году , и, согласно последнему отчету, производитель полупроводников намерен представить три итерации этой технологии, аналогично тому, что TSMC сделала со своим собственным 3-нм узлом, начиная с «N3B», который был эксклюзивным используется Apple. Компания Samsung коммерциализировала технологию комплексного управления воротами, которая дает ряд преимуществ. Например, он регулирует, усиливает и контролирует поток тока внутри полупроводника.

Поскольку эти чипы становятся меньше, контролировать ток становится сложнее, но GAA решает эту проблему, перепроектируя архитектуру транзисторов для повышения энергоэффективности. Несмотря на эти преимущества, Samsung не удалось привлечь различных клиентов для поставок своих пластин, поскольку компания продолжает сталкиваться с проблемами с производительностью. Добавьте к этому высокие производственные затраты, и потенциальная клиентура компании не считает это партнерство финансово обнадеживающим.

Ранее мы сообщали, что производительность 3-нм GAA у Samsung составила ужасные 20 процентов, но литейному гиганту удалось изменить ситуацию, доведя этот показатель в три раза по сравнению с первоначальным значением . Однако по общей доходности она по-прежнему отстает от TSMC, поэтому неудивительно, что даже Qualcomm и MediaTek проявили доверие к технологиям тайваньской полупроводниковой фирмы. Компания Samsung разработала запатентованную технологию в рамках своего процесса GAA под названием «MBCFET», и с каждой 3-нм итерацией появляются сообщения об улучшении производительности и эффективности.

Судя по всему, Samsung планирует представить третью версию своей 3-нм технологии GAA, которая, как утверждается, обеспечит более чем 50-процентное снижение потерь мощности и более высокую степень интеграции за счет уменьшения площади. Возможно, благодаря будущим исследованиям Samsung сможет повысить производительность и довести ее до достаточно высокого уровня, чтобы клиенты начали проявлять интерес как к 3-нм, так и к 2-нм версиям GAA.