Samsung планирует вывести индустрию флэш-памяти NAND на новый уровень, представив свои решения V-NAND 9-го и 10-го поколения с числом слоев до 430.

Samsung производит флэш-память NAND с числом слоев до 430 в рамках своей технологии V-NAND 10-го поколения, которая дебютирует в следующем году

Рынки флэш-памяти NAND быстро восстанавливаются после тяжелого экономического положения в течение последних кварталов подряд благодаря ослаблению потребительского спроса и высокому уровню запасов. Однако теперь, когда мы прошли через это, кажется, что начался новый этап инноваций, и именно Samsung представила относительно высокопроизводительный тип NAND, называемый флэш-памятью V-NAND 9-го поколения. Этот тип состоит из 290 слоев, наложенных друг на друга, что устанавливает новый стандарт для рынков.

Корейские СМИ сообщают, что Samsung планирует выпустить свой стандарт NAND 9-го поколения к следующему месяцу, который, вероятно, придет на смену предыдущему поколению, которое имело 236 слоев стека. Похоже, что индустрия, скорее всего, втянута в гонку «наложения слоев», и на сегодняшний день Samsung выглядит намного впереди конкурентов, таких как SK Hynix и Kioxia. Интересно, что корейский гигант также анонсировал продукт NAND с шокирующим 430-слойным стеком (V-NAND 10-го поколения), запуск которого ожидается в следующем году.

Еще одним интересным аспектом новейшего процесса NAND 9-го поколения от Samsung является метод «двойного стека», который фокусируется на сжатии большего количества слоев через несколько каналов. Этот метод использует электричество для соединения отдельных ячеек. Техника сверления не только обеспечивает более высокую эффективность соединения, но и обходится намного дешевле по сравнению с традиционными методами укладки.

Использование продуктов NAND радикально возросло за последние несколько месяцев, в основном из-за использования продуктов, участвующих в выводе искусственного интеллекта, поскольку для них требуются тонны высокоскоростного хранилища. В конечном итоге это привело к сдвигу огромного спроса в будущее, что станет катализатором развития в этом сегменте для производителей флэш-памяти NAND, таких как Samsung.