Samsung Electronics ускоряет работу над производственными мощностями 2 нм, сообщают отраслевые источники. Компания начала установку передового оборудования на своей литейной линии «S3» в Хвасоне для создания производственной линии 2 нм. Эта линия должна производить 7000 пластин ежемесячно к первому кварталу следующего года. Кроме того, Samsung планирует создать производственную линию 1,4 нм на своем литейном заводе «S5» на заводе 2 в Пхёнтхэке ко второму кварталу следующего года. Эта линия должна производить 2000–3000 пластин ежемесячно. К концу следующего года Samsung переведет все оставшиеся производственные линии 3 нм на «S3» на 2 нм.

Как мы сообщали ранее, Samsung перенесла дату запуска своего литейного завода в Тайлере, штат Техас. Завод, открытие которого запланировано на конец 2024 года, не будет устанавливать оборудование до 2026 года. Кроме того, Samsung изменила свои планы относительно литейной линии Fab 4 в Пхёнтхэке. Из-за снижения спроса теперь вместо этого будет производиться DRAM, более того, на заводе Pyeongtaek Fab 3, где есть линия 4 нм, Samsung сократила производство. Эти изменения являются частью плана Samsung по производству 2 нм чипов в следующем году и 1,4 нм чипов к 2027 году. Компания хочет догнать своего конкурента TSMC, прямо сейчас Samsung занимает 11,5% мирового рынка литейного производства во втором квартале, в то время как TSMC лидирует с 62,3%. Эксперт отрасли подчеркнул, насколько это важно, сказав: «С учетом задержки производства Exynos 3 нм и других проблем, получение правильного 2 нм процесса может сделать или разрушить Samsung Foundry». Борьба для Samsung реальна, поскольку высшее руководство компании во главе с заместителем председателя DS Division Чоном Ён Хёном недавно публично извинилось за неудовлетворительные результаты подразделения.