Время чтения 3 минуты

Intel готова провести свое флагманское мероприятие IFS Direct Connect в Сан-Хосе, Калифорния, где компания расскажет о будущем полупроводников.

Intel возглавит движение искусственного интеллекта в сфере полупроводников и литейных услуг на своем флагманском литейном мероприятии, генеральный директор рассказывает о следующем поколении фабрик в разработке

В мероприятии примут участие такие лица, как генеральный директор Intel Пэт Гелсингер, а также такие официальные лица, как Стюарт Панн, старший вице-президент и генеральный директор Intel Foundry Services. Мероприятие будет сосредоточено на определении стратегии литейного завода на будущее, и весьма вероятно, что мы увидим обновленная информация о текущих разработках в области полупроводниковых процессов, таких как процессор Intel 20A, который, как ожидается, будет запущен в массовое производство в 2024 году. Наряду с этим, ожидайте, что будут раскрыты некоторые подробности относительно узлов компании следующего поколения, таких как 18A и выше. это когда мы вступаем в эру менее 2-нм технологий .

Помимо разработок в области полупроводников, Intel упомянула о планах раскрыть информацию о «первом в мире заводе по производству систем искусственного интеллекта», и говорят, что это проложит путь к будущему полупроводников. Хотя мы не знаем, на что указывает создатель системы ИИ, скорее всего, это будет источник производства, на который сильно влияют возможности ИИ. Сам генеральный директор Intel Пэт Гелсингер раскроет подробности на сессии под названием «Силикономия и создание систем искусственного интеллекта: как Intel находится в центре следующего переломного момента».

Это передовой край. Когда он появится в сети, вы знаете, что у нас самые передовые технологические процессы, и что мы скоро внедрим в производство то, что мы называем 18А (менее 2 нм), вы знаете, что это будет больше, поэтому это будет порядка 1,5 нанометра. который будет построен в Магдебурге, так что это будет не только самое передовое производство в Германии, но и самое передовое производство в мире.

Пэт Гелсингер (генеральный директор Intel) – Всемирный экономический форум в Давосе через CNBC

Говоря о Китае, Пэт заявляет, что разрыв между достижениями Китая в области полупроводников и достижениями ведущих фабрик мира составляет около 10 лет.

Экспортная политика, которая была введена в действие, вы знаете, недавно мы видели, в частности, голландскую политику, политику США, политику Японии и т. д., это своего рода устанавливает нижний предел в диапазоне от 10 до 7 нанометров, верно вы знаете. для этого, и вы знаете, что мы стремимся опуститься ниже 2 нанометров, а затем и до полутора, и вы знаете, что мы не видим конца этому.

Я вижу действующую политику, и это не значит, что Китай не собирается продолжать инновации, но это очень взаимосвязанная отрасль, вы знаете, что постановка Трампа прямо в зеркалах Zeiss, вы знаете сборку оборудования ASML, химические вещества и технологии сопротивления в Японии. , массовое производство Intel, все это вместе, как вы знаете, я думаю, что это 10-летний разрыв, и я думаю, что это устойчивый 10-летний разрыв с экспортной политикой, которая была введена в действие сегодня, и я верю, что это предвещает а также для политики, которая была создана в мире в отношении экспорта и конкурентоспособности в этой среде, и вы знаете, что мы прилагаем все усилия, чтобы убедиться, что это так.

Пэт Гелсингер (генеральный директор Intel) – Всемирный экономический форум в Давосе через CNBC

На выставке CES 2024, а теперь и на пресс-брифингах IFS мы видели, как Team Blue заявляет, что она позиционирует себя в «переломной точке» в отрасли, а это означает, что фирма будет вести в будущее полупроводников, особенно в области, где ИИ вступает в игру. Будет интересно посмотреть, что IFS Direct Connect готовит для технологической отрасли, и мы обязательно будем следить за нашими репортажами. Ожидается, что мероприятие состоится 21 февраля 2024 года и начнется в 8:30 по тихоокеанскому времени с выступления самого Пэта Гелсингера.

Дорожная карта процессов Intel

ИМЯ ПРОЦЕССА	INTEL 10-НМ СУПЕРФИН	ИНТЕЛ 7	ИНТЕЛ 4	ИНТЕЛ 3	ИНТЕЛ 20А	ИНТЕЛ 18А
Производство	В большом объёме (сейчас)	В объеме (сейчас)	2 полугодие 2022 г.	1 полугодие 2023 г.	1 полугодие 2024 г.	2 пол. 2024 г.
Производительность/Ватт (более 10 нм ESF)	Н/Д	10-15%	20%	18%	>20%?	будет объявлено позднее
EUV	Н/Д	Н/Д	Да	Да	Да	EUV с высокой NA
Транзисторная архитектура	ФинФЕТ	Оптимизированный FinFET	Оптимизированный FinFET	Оптимизированный FinFET	ЛентаFET	Оптимизированный RibbonFET
Продукты	Тигровое озеро	Озеро Олдер Озеро Раптор Сапфировые пороги Изумрудные пороги Xe-HPG?	Метеоритное озеро Xe-HPC / Xe-HP?	Партнер литейного завода Granite Rapids Sierra Forest	Эрроу-Лейк- Даймонд-Рапидс?