Рынок HBM, который часто называют основой вычислений на базе искусственного интеллекта, к 2025 году должен удвоить рыночную выручку , поскольку отрасль переходит к чипам следующего поколения.
Рынки HBM увидели новую надежду благодаря влиянию искусственного интеллекта, катализирующего огромный рост доходов
Память с высокой пропускной способностью — это сегмент, в котором в последнее время наблюдается огромный рост спроса, особенно с появлением ажиотажа вокруг искусственного интеллекта, который глубоко вовлек в бизнес такие компании, как Samsung и SK hynix. Глядя на текущую ситуацию, Samsung, SK hynix и Micron являются тремя «крупными» игроками на рынках HBM, и ожидается, что они будут доминировать и в будущем, благодаря текущим разработкам компаний, в частности, следующим. генные процессы, такие как HBM4, который вызвал огромный интерес со стороны промышленности.
Учитывая это, исследователь рынка Gartner сообщает, что к 2025 году рынок БЧМ достигнет колоссальных 4,976 миллиардов долларов США, что почти в два раза больше, если смотреть на цифры, достигнутые в 2023 году. Оценка основана исключительно на текущем и ожидаемом спросе. из отрасли, и здесь нет ничего удивительного, поскольку ключевой областью, в которой HBM продается больше всего, является его применение в графических процессорах искусственного интеллекта. Как уже неоднократно сообщалось в прошлом, внезапный рост спроса на графические процессоры для искусственного интеллекта привел к дефициту HBM на рынках, поскольку HBM является основным компонентом в составе ускорителя искусственного интеллекта.
Существует также огромное чувство оптимизма в отношении будущего HBM, поскольку, согласно предыдущим сообщениям, отрасль действительно переходит к новым стандартам, и такие стандарты, как HBM3e и HBM4, должны получить широкое распространение среди производителей.
У NVIDIA много планов для своих клиентов на 2024 год, поскольку компания уже анонсировала графический процессор H200 Hopper , который, как ожидается, получит массовое распространение к следующему году, после чего последует представление AI-графических процессоров B100 «Blackwell» , оба из которых будут быть основан на технологии памяти HBM3e. Похожая ситуация сложилась и в лагере AMD с дебютом графических процессоров AMD Instinct следующего поколения с новым типом HBM.
Сравнение характеристик памяти HBM
| ДРАМ | НБМ1 | НБМ2 | HBM2E | НБМ3 | HBM3 GEN2 | HBMNEXT (HBM4) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ввод/вывод (интерфейс шины) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024-2048 | 1024-2048 |
| Предварительная выборка (ввод-вывод) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Максимальная пропускная способность | 128 ГБ/с | 256 ГБ/с | 460,8 ГБ/с | 819,2 ГБ/с | 1,2 ТБ/с | 1,5–2,0 ТБ/с |
| Микросхемы DRAM в стеке | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-12 | 8-12 |
| Максимальная емкость | 4ГБ | 8 ГБ | 16 Гб | 24 ГБ | 24–36 ГБ | 36–64 ГБ |
| ТРК | 48нс | 45нс | 45нс | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее |
| tCCD | 2нс (=1tCK) | 2нс (=1tCK) | 2нс (=1tCK) | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее |
| ВПП | Внешний ВПП | Внешний ВПП | Внешний ВПП | Внешний ВПП | Внешний ВПП | будет объявлено позднее |
| ВДД | 1,2 В | 1,2 В | 1,2 В | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее | будет объявлено позднее |
| Ввод команды | Двойное командование | Двойное командование | Двойное командование | Двойное командование | Двойное командование | Двойное командование |
Индустрия памяти действительно пережила возрождение с появлением на рынках искусственного интеллекта, и, судя по индикаторам, пока ситуация не ухудшится.
0 Комментариев