Первое поколение модулей памяти GDDR7 еще не стало доступно в продуктах потребительского уровня, и похоже, что производители уже демонстрируют, на что действительно способен новый стандарт.
SK hynix наносит ответный удар Samsung, продемонстрировав модули памяти GDDR7 следующего поколения для графических процессоров нового поколения, пропускную способность до 160 ГБ/с на модуль и емкость 3 ГБ
Хотя есть сообщения о том, что в первом поколении продуктов памяти GDDR7 будут использоваться кристаллы со скоростью 28 Гбит/с и емкостью 16 ГБ (2 ГБ видеопамяти) , производители DRAM не останавливаются на демонстрации того, что могут предложить их продукты следующего поколения.
На выставке GTC 2024 компания SK hynix представила свои модули памяти GDDR7, которые будут обеспечивать скорость вывода до 40 Гбит/с и пропускную способность до 160 ГБ/с на модуль. Стандарт GDDR7 будет иметь базовую скорость 32 Гбит/с, обеспечивая пропускную способность 128 ГБ/с на модуль, поэтому мы ожидаем увеличения пропускной способности на 25 % с будущими вариантами GDDR7. Samsung также стремится к производству GDDR7 DRAM, и компания также продемонстрировала свои модули памяти на GTC , хотя и в вариантах 16 Гбит и 32 Гбит/с. Компаня также представила модули со скоростью вывода до 37 Гбит/с .
Кроме того, память будет доступна в различных объемах: сейчас указан объем до 24 ГБ, а базовый уровень установлен на уровне 16 ГБ. С модулями 16 ГБ вы получаете 2 ГБ видеопамяти, а с 24 ГБ — 3 ГБ видеопамяти. Но мы уже сообщили о спецификациях, опубликованных JEDEC, и они подтверждают, что GDDR7 будет достигать скорости 48 Гбит/с и плотности 64 Гбайт (емкость видеопамяти 8 ГБ). Это будет означать огромное увеличение объема видеопамяти с 256-битным стандартным интерфейсом, предлагающим емкость 64 ГБ.
Для сравнения, текущий максимум, которого можно достичь с помощью 256-битного интерфейса шины, составляет 16 ГБ при использовании модулей DRAM емкостью 16 ГБ. Модули DRAM емкостью 24 ГБ увеличивают этот объем до 24 ГБ. Но опять же, это скорости и возможности, которых нам не следует ожидать сразу. Такие спецификации могут быть доступны только после 2026-2027 годов, то есть через несколько лет. Вот что мы можем ожидать от первого поколения продуктов памяти на базе GDDR7:
- 512 бит/28 Гбит/с/32 ГБ (макс. память)/1792 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 384 бит/28 Гбит/с/24 ГБ (макс. память)/1344 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 2 56-бит / 28 Гбит/с / 16 ГБ (макс. память) / 896,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 192 бит/28 Гбит/с/12 ГБ (макс. память)/672,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 128 бит / 28 Гбит/с / 8 ГБ (макс. память) / 448,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
Вот что мы можем ожидать от продуктов SK hynix GDDR7 DRAM 40 Гбит/с и 24 Гбит/с, когда они станут доступны:
- 512 бит/40 Гбит/с/48 ГБ (макс. память)/2560 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 384 бит/40 Гбит/с/36 ГБ (макс. память)/1920 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 2 56-бит / 40 Гбит/с / 24 ГБ (макс. память) / 1280 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 192 бит/40 Гбит/с/18 ГБ (макс. память)/960,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
- 128 бит/40 Гбит/с/12 ГБ (макс. память)/640,0 ГБ/с (макс. пропускная способность)
Помимо модулей памяти GDDR7, SK hynix также демонстрирует модули DIMM DDR5 MCR, которые обеспечивают емкость до 64 ГБ на модуль со скоростью до 8800 МТ/с и напряжением 1,1 В. В ближайшие несколько лет в сегменте DRAM и памяти появится множество инновационных продуктов, поэтому вам лучше следить за обновлениями по мере поступления дополнительной информации.
0 Комментариев